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  • 硅单晶定向中的单晶硅与多晶硅的区别

    硅是地球上储藏丰富的材料之一,从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后,它几乎改变了一切,甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始,硅材料就取代了原有锗材料。硅材料,因其具有耐高温和抗辐射性能较好,特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用多
    发布时间:2019-10-08   点击次数:10

  • 丹东新东方晶体仪器有限公司祝十一快乐

    丹东新东方晶体仪器有限公司成立于1993年,是一家专注于生产X射线定向仪的专业企业。自公司成立20年以来,为单晶材料生长、加工企业提供了数千台定向仪器,积累了丰富的生产、服务经验。产品出口到台湾、韩国、日本、俄罗斯等地区。在蓝宝石晶体加工行
    发布时间:2019-10-01   点击次数:12

  • 观测硅单晶定向晶体中缺陷的实验方法

    目前用来观测硅单晶定向中缺陷的实验方法很多,金相腐蚀法就是其中一种,这种方法操作简单,直观,是晶体缺陷观察的有力工具。晶体中的缺陷一般仅涉及几层原子的排列畸变,因此用普通显微镜不能直接观察到它们,更不能发现晶体内部的缺陷。但由于缺陷附近的畸
    发布时间:2019-09-23   点击次数:10

  • 硅单晶定向中的层错

    硅单晶定向中一个完整的晶体可以理解为许多平行晶面以一定方式堆积而成。当这种正常的堆积方式被破坏时,使在晶体中造成一层缺陷。在外延生长过程中,由于衬底上某处,或者在抛光过程中产生的微痕,或者有微粒,氧化物,或者清洗过程留下的污点等会使该处原子
    发布时间:2019-09-16   点击次数:11

  • 硅单晶定向中硅材料的位错

    在实际应用的硅单晶定向材料的晶格中,总是存在着偏离理想情况的各种复杂现象。存在着各种形式的缺陷。按着缺陷,晶体空间分布尺寸的情况可以分为点缺陷、线缺陷、面缺陷等,这里主要讨论硅单晶体中的位错和硅外延片中的层错。位错是硅单晶中主要的一部分
    发布时间:2019-09-10   点击次数:25

  • 单晶定向中的用解理法进行激光轴直接定向

    硅单晶定向将待测晶锭一端先磨成锥形,在盛有80#金刚砂的研钵中研磨,使锥形端面解理出许多微小的解理面,这些解理面都是按一定的晶向解理出来的,因而包含着结晶学构造中的各种方向特征。对于硅单晶一类的金刚石结构,其一解理面,这是由于这个晶面族之间
    发布时间:2019-09-06   点击次数:12

  • 用金相腐蚀法进行激光单晶定向

    在进行金相腐蚀之前,应先将晶体端面用80#金刚砂在平板玻璃上湿磨,使在端面上解理出无数微小的解理坑,洗净后,按指定的腐蚀工艺条件进行腐蚀。硅单晶定向实验用的单晶材料,在5%的NaOH水溶液中沸腾煮7分钟.经过金相腐蚀的硅单晶晶面,腐蚀坑底的
    发布时间:2019-08-29   点击次数:8

  • 激光晶轴硅单晶定向的直接定向法

    半导体硅单晶是具有一定晶向的,检测它的方法很多,这里主要介绍硅单晶定向的激光晶轴定向法。激光晶轴定向是在光点定向原理的基础上发展起来的.所谓光点定向就是在腐蚀坑基础上,用特制的光点反射仪来代替金相显微镜,可以较准确的从光学屏上反射出的图形位
    发布时间:2019-08-21   点击次数:26

  • 碳化硅定向主要应用领域

    碳化硅主要用于功能陶瓷、耐火材料、磨料及冶金原料。碳化硅粗料已能大量供应,不能算高新技术产品,而技术含量极高的纳米级碳化硅粉体的应用短时间不可能形成规模经济。⑴作为磨料,可用来做磨具,如砂轮、油石、磨头、砂瓦类等。⑵作为冶金脱氧剂和耐高温材
    发布时间:2019-08-12   点击次数:24

  • 几种光学硅单晶定向测量方法

      硅单晶定向测量装置的光学系统,光轴和结晶方向间的未知夹角可在屏幕上直接以弧度读出。适当设置一个或多个这样的光学系统,所有关于单晶建的定向问题都可解决。常见定向问题的有关原理将参照下列几种定向装置来论述。  1.单轴定向测量法  这种方法
    发布时间:2019-08-09   点击次数:21

  • 硅单晶定向测量原理

      晶体定向是由与晶粒的形状和晶格所确定的晶向有关的晶体的各几何方向间的联系来确定的。硅单晶定向测量的方法很多,但相比之下,光学方法更具有特点。它使用起来简单、定向准确、可靠,能够处理任何半导体应用中的定向测量问题。   用作定向测量的光学
    发布时间:2019-08-01   点击次数:45

  • 硅单晶定向切割工序可包括哪些?

    硅单晶定向切割工序可包括对所述碳化硅晶锭进行加工定位边,所述定位边至少包括主定位边。这样可以利用所得的主定位作为基准来进行后续切割工序中的定位。在所述切割工序中,以所述晶锭的主定位边和圆周作为基准,将所述多个晶锭粘接在定型支架上,并将粘接有
    发布时间:2019-07-25   点击次数:33

  • 碳化硅定向如何提高多线切割机的切割效率

    为了提高多线切割机的切割效率,多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法,该方法是根据所切割过程中晶体柱截面不同位置对应的切割长度的不同,变化切割速度,将工作台的勻速进给切割改为连续、分段不同速度进给,从而保证切割质量的前提下提高了切割效率。鉴于现
    发布时间:2019-07-23   点击次数:26

  • 碳化硅定向的晶体定型的切割方法

    碳化硅晶体是第三代宽带隙半导体材料,和一代硅、二代砷化镓半导体材料相比,具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、介电常数小、抗辐射性能强、化学稳定性好等优良的物理化学性质,以及与硅集成电路工艺兼容等特点,优良
    发布时间:2019-07-18   点击次数:41

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