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气相法生长晶体制作单晶材料

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气相法生长晶体制作单晶材料

发布日期:2019-05-10 00:00 来源: 点击:

所谓气相法生长晶体,就是将拟生长的晶体材料通过升华、蒸发、分解等过程转化为气相,然后通过适当条件下使它成为饱和蒸气,经冷凝结晶而生长成晶体。


气相法晶体生长的特点是:


1. 生长的晶体纯度高;

2. 生长的晶体完整性好;

3. 晶体生长速度慢;

4. 有一系列难以控制的因素,如温度梯度、过饱和比、携带气体的流速等。


目前,气相法主要用于晶须生长和外延薄膜的生长(同质外延和异质外延),而生长大尺寸的块状晶体有其不利之处。


气相法主要可以分为两种:

物理气相沉积(Physical VaporDeposition, PVD):用物理凝聚的方法将多晶原料经过气相转化为单晶体,如升华-凝结法、分子束外延法和阴极溅射法;

化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition,CVD):通过化学过程将多晶原料经过气相转化为单晶体,如化学传输法、气体分解法、气体合成法和MOCVD法等。

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