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单晶定向中的用解理法进行激光轴直接定向

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单晶定向中的用解理法进行激光轴直接定向

发布日期:2019-09-06 00:00 来源: 点击:

硅单晶定向将待测晶锭一端先磨成锥形,在盛有80#金刚砂的研钵中研磨,使锥形端面解理出许多微小的解理面,这些解理面都是按一定的晶向解理出来的,因而包含着结晶学构造中的各种方向特征。对于硅单晶一类的金刚石结构,其一解理面,这是由于这个晶面族之间的原子间距长,引力小,容易在外力作用下解理出来。

由于解理法前处理工艺,在晶锭端面上产生的一系列解理图中,仅有少数几个解理面符合晶轴的轴对称要求,因而从这几个解理面上反射出来的特征图就显得比较暗淡,降低了定向精度,但这种方法有优点,由于晶锭头部磨成锥形,得以在大角度范围内寻找与被测晶轴对应的特征反射面,而不受晶轴几何轴与被测晶轴偏离角大时限制。

须指出,用金相腐蚀法和解理法产生的特征光图是有根本区别的。首先是在反射的方向上,由于腐蚀坑是凹的,反射光的方向“前倾”,因此只要在单晶材料晶体端面的前面放置一平面光屏,就可以接收各条反射光所构成的特征光图。对于解理法在晶锭锥形头部上产生的一系列解理面,由于它们相互间所构成的夹角是凸的,因此反射光的方向是“后倾”,接收这样的反射光须用凹面的锥形光屏。


故反射光方向垂直于入射光方向。可以看出:只有当待测晶锭的头部伸入到锥形光屏的凹部,才能在光屏上显示出特征光图来。认识这二种不同的前处理工艺所导致不同的反射光方向的规律,对于晶轴定向是十分重要的。从腐蚀坑侧面上反射出来的反射光射向晶轴的另一侧,因此特征光图上三个光瓣所指的方向,恰恰就是腐蚀三个顶角所指的方向,而解理面所产生的特征光图则与之相反。


两种不同的前处理工艺产生的特征光图的另一个区别是解理法产生的光图其光斑是点状的,这是由于其反射面为镜面状的解理面所致,而腐蚀坑所产生的反射光斑则是花瓣状的。如腐蚀过头甚至呈线状。后者表明腐蚀坑的侧面实际上不是属于单一结晶学指数的晶面平面,而是呈台阶型,造成台阶的两个晶面。


碳化硅定向

相关标签:单晶材料,碳化硅定向,硅单晶定向

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