北京11选5

欢迎访问丹东新东方晶体仪器有限公司官网!

热门搜索:蓝宝石晶体定向单晶定向单晶材料

icon1.png好品质            icon2.png好材料            icon3.png好服务

新闻分类

产品分类

联系我们

丹东新东方晶体仪器有限公司

联系人:张经理

电 话:0415-6172363   13304155299

传 真:0415-6181014

邮 箱:xdf@ddxdf.com

网 址:

地 址:辽宁丹东环保产业园区A-050号

邮 编:118000

硅单晶定向中的层错

您的当前位置: 首 页 >> 新闻中心 >> 技术中心

硅单晶定向中的层错

发布日期:2019-09-16 00:00 来源: 点击:

硅单晶定向中一个完整的晶体可以理解为许多平行晶面以一定方式堆积而成。当这种正常的堆积方式被破坏时,使在晶体中造成一层缺陷。在外延生长过程中,由于衬底上某处,或者在抛光过程中产生的微痕,或者有微粒,氧化物,或者清洗过程留下的污点等会使该处原子的正常排列遭受破坏。而在外延过程中使这种错排逐渐传播,直到晶体表面,成为区域性缺陷。

层错可分为本征层错和非本征层错。本征层错是指抽出一层的情况,即按ABCA—CABC……(指抽出B层)排列。非本征层错是指插入一层的情况,即按ABCACBCABC……(按插入C层排列)。

当在一个晶面上同时形成许多晶核时,它们大多数不可能错配,错配只发生在很少的晶核上。而且随着外延层的生长逐渐扩大,沿三个(111)面发育成为一倒立四面体。由于此四面体是错配的晶核发育成,因此在它与正常生长的晶体的界面两侧,原子是失配的。也就是说,硅单晶定向晶格的完整性在这些界面附近受到破坏,但在层错内部,晶格仍是完整的。由错配的晶核为起源的层错,并不一定都能沿三个(111)面发展到表面,即在表面并不都呈三角形,在某些情况下,层错周围的正常生长可以抢先占据上面的自由空间,因而使得层错不能充分发育。于是表现在层错的腐蚀图形不是完整的三角形,而可能是一条直线,或者为一角。


相关标签:

最近浏览:

相关产品:

相关新闻:

热推产品  |  主营区域: 北京 上海 广州 深圳 天津 重庆 南京 沈阳 丹东
在线客服
  • 销售客服
  • 销售客服
  • 销售客服
  • 客户服务
二维码

扫描二维码

分享
友情链接:盛兴彩票官网  欢乐彩票  盛兴彩票  鸿利彩票  大发彩票网  盛兴彩票  大发彩票  

免责声明: 本站资料及图片来源互联网文章,本网不承担任何由内容信息所引起的争议和法律责任。所有作品版权归原创作者所有,与本站立场无关,如用户分享不慎侵犯了您的权益,请联系我们告知,我们将做删除处理!